一、超频为什么要改内存时序

1、因为超频，更改一下内存时序会系统更稳定一点。

2、内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。

3、常规来说提高频率时序会跟着升高。主意看着电压，不要超过2.4v了，小D9在2.4v都不一定能很稳定。

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100系主板相对于9系主板的一个优势是内存升级为DDR4，内存的频率进一步提升。对于DDR4内存而言，工作电压更低，一般是1.2V，内存的频率也更快，一般在2133MHz以上，才是真正意义的DDR4内存，容量也更大，当前的DDR4内存，单条容量一般在8G。

虽然相对于DDR3，DDR4内存以及有了大幅度的提升，但是追求更高频率的挑战，从未停息过。众多玩家和网友一直在不断追求，不仅CPU超频，显卡超频，而且内存也进入了超频的范畴。内存超频，同样需要很大的耐心，设置不当，

会导致系统不稳定，或无法开机，对小白而言，内存超频一直是一个无法逾越的屏障，但是现在X.M.P技术更加成熟和普及了，内存超频不再是不可逾越的鸿沟。

二、内存时序越高越好吗

1、所以，在保障稳定性的前提下，内存时序越低越好但我们知道现在有不少内存条都能够超频，而高频率和低时序相互矛盾，一般频率上去了，时序就得有所牺牲，要想时序足够低，频率又很难拔高比如今年各大存储厂商发布的DDR5内。

2、时序对性能影响只有45%，现在高频率内存时序都比较大，不要纠结于此选频率是王道前提是你CPU能拉起来，不然白花钱。

3、时序不重要，性能差别不大的，主要是频率 240021331600。

4、内存时序当然越低越好，时序就是延时的意思，一般DDR2 533官方的SPD参数为 44412 DDR2 667的为55515一般只有AMD的主板才可以设置为1T还是2T，但是双通道模式下好设置为2T以免发生不稳定的因素内存时。

5、主要看电压，cpu超频了，内存一般小降一点，要不电压够，不行就在**os设置加一点电压，是一点点01v的往上试，能稳定住就成功了不过真心不推荐超频，不会玩的超了性能提升看不出来，可能还把硬件玩废了，悲催的是。

6、时序越小，反应时间越快，但是这种差距是以毫秒为单位的，你在使用中感觉不到，厂家流水线上下来的内存颗粒经过测试体制好的用来做白金条或是超频条，价格比普通条贵，这种颗粒在超负荷额条件下运行可以更稳定如果你不超频。

7、CL44412，标是这样标的，但一般在800M频率都是在55515，在667M时有可能44412芝奇DDR2 800 CL55515应该这个好我用的金邦黑龙条DDR2 800，是为数不多的800M频率时序为44412的内存。

8、理论上是这样的同代的内存时序越低性能越强，并且超频的空间越大随着内存的频率越高时序也会有不同程度的提升，在DDR时代1G的默认时序一般是3338，到现在新的DDR4时序已经升到了16161635，据百度百科。

9、后者则是内存频率和内存时序的共同作用的结果，提升频率和降低内存时序都可以降低内存延迟，而低内存延时正是游戏所需求的简单来说就是内存频率越高越好，时序越低越好，但是想两者兼得就不太现实了，因为大家可以看看。

10、时序是内存的延迟，越低越好想高频率的内存条，往往很难压住时序，所以高频率低时序的内存一般都比较贵图里面左边的频率低，但是时序好一点，右边的频率高，时序稍差按照综合性能来看，右边的强一些而考虑价格的话。

11、TRFC值属于第二小参，表示刷新间隔周期，单位为周期，值越小越好DDR3内存通常值为90120低于80时，可能导致不稳定CLtRCDtRP和tRAS称为第一时序，对颗粒性能的影响明显，也重要首先要内存时序英语Memory。

12、都重要有些程序的运行对内存延时很敏感比如说多媒体编解码，图像渲染，高物理特效的游戏。

13、内存的时序参数一般简写为2226111T的格式分别代表CAStRCDtRPtRASCMD的值2226111T中后两个时序参数，也就是tRAS和CMDCommand缩写，是其中较复杂的时序参数目前市场上对这两个参数的认识有。

14、对时序越低越好，不过看频率而定，内存超频时时序就要拉大DDR2的55515都可以超频到800Mhz使用，800Mhz默认也是这个时序DDR默认时序33392T400MhzDDR2默认时序555152T800MhzDDR3默认。

15、你的电脑如果显卡CPU不是顶配，就没必要买特别高频率的内存条，即使显卡CPU是顶配，买高频内存条也只能提高十几帧。

16、不是，DDR800是6_6_616你说他比1600的好么只能说同一频率的延迟时序小点好。

17、当然是低时序好，CL9肯定比CL11好，第二个问题1600的好，这种情况下带宽比延迟要重要，因为1333带宽有点低。

三、ddr42400佳时序

1.

ddr4内存时序参数3200(16)8G×16,CL 16-16-16 1.35V为好,默认DDR4 2133,1.2V,加载XMP可以直接提升频率为DDR4 3200 16-16-16-36 2T,高频下的电压为1.35V;

2.

ddr4内存不动第一时序就尽量不动第一时序,首先应该从调整第二时序入手,放大tRFC、tREF一般可以获得更高的频率;ddr4内存与ddr4、ddr42内存不同,第一时序中的CR对内存频率和性能影响并不大;ddr4第二时序中的tRTP、tRTW和tWTR对性能影响不大,可以适当放宽以提高超频后的稳定性,tRRD对性能的影响则比较大,尽量避免牺牲tRRD来换取高频;第三时序虽然不起眼而且经常被遗忘,但是其对性能的影响也不小,不建议牺牲第三时序来换取高频,尤其是tRDRD和tWRWR;

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四、内存时序高会怎么样影响电脑性能吗

内存时序高说明系统的性能较低，延迟大，故会对电脑的性能产生一定的影响。

内存定时较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的后一个因素是实际延迟，通常以纳秒为单位。

记忆体计时是描述记忆体模组效能的参数。它通常存储在存储模块的spd中，简称cl值，它是记忆的重要参数之一。一些品牌的内存会在内存模块的标签上打印cl值，目前一般较好的内存模块都会在参数中标注cl值。

一般来说，时序是决定存储器性能的一个参数，但并不意味着时序越低，性能越好。它还与存储容量和频率有关，只能说在相同容量和频率的两个存储器中，定时越低，性能越好。

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内存时序具体含义：

存储器定时是描述存储器模块性能的参数，通常存储在存储器模块的spd中，与通用编号“a-b-c-d”对应的参数是“cl trcd trp tras”，其含义如下：

1、cl：列寻址所需的时钟周期（表示延迟的长度）

的确，在相同的频率下，cl值越小，存储模块的性能越好，随着存储模块频率的增加，ddr1-4的cl值越来越大，但其实际cl延迟时间几乎没有变化。这意味着cl值越大，存储模块的cl延迟越大，存储模块的cl延迟越差，相反ddr1-4的cl值越高，上升频率越高。

2、tRCD：行寻址和列寻址时钟周期的区别

TrCD的值对记忆的大频率有大的影响，内存模块想达到高频，但如果不能提高电压，放松cl值，只能增加trcd值。

今天的DDR4一般是1.2V。如果你想让CL看起来很好，如果你想让内存模块被超频到一个更高的水平，那么就增加TRCD，如果你想要灯光效果，那么就增加计时。因此，大的trcd并不意味着坏的存储模块，相反，它意味着存储模块可以超过很高的频率。

3、TRP：下一个周期前预充电所需的时钟周期

虽然trp的影响会随着银行的频繁经营而增加，但其影响也会因银行间的交叉经营和指令供给而减弱。trp的放松有利于提高行地址激活和关闭的命中率和准确性，放宽trp，使内存模块更加兼容。

4、tras：存储一行数据时，从*作开始到寻址结束的总时间段。

此*作不经常发生，仅在内存空闲或新任务开始时使用。tras值太小会导致数据错误或丢失，值太大会影响内存性能，如果内存模块的负载较大，tras的值可以稍微放宽。

参考资料来源：百度百科--内存时序