一、如何将数据写到指定的flash存储空间

第一步：在当前项目的cmd中增加一个内存区域，例如： Add: origin= 0x3D8000, length= 0x000002，此区域名字为Add，起始位置0X3D80000长度为1 word

第二部：在相应的段位置增加新的section，并将其映射在Flash需要指定的位置例如：Para:> Add PAGE= 1, Para为新设置的存储区section，将其定义在Add中，PAGE= 1表示为数据变量区域而非代码

第三步：在.c文件中使用#pargam DATA_SECTION(变量名,"Para");指令，将变量定义在Para段中，编译后就可以在map中的固定位置找到此变量

二、苹果手机iflashdrive怎么退出

i-FlashDrive是一款常见的苹果U盘。退出方式：在U盘图标上右键，然后选“退出”就行了，或者直接把u盘图标拖到废纸篓里也行。

i-FlashDrive使用步骤：

1.先将苹果u盘i-flashdrive与苹果iphone产品连接，连接后，苹果iphone产品会弹出一个**的提示框，点击提示框的**，便可以进入app store中**免费的i-flashdrive应用程序，**完毕后便可以使用i-flashdrive进行资源管理。

2.i-flashdrive**完毕后，我们打开它，可以看到第一项是通讯录的备份/还原功能，在里面我们可以进行一键备份通讯录以及一键还原功能，*作非常简便。

3.在i-flashdrive应用程序中，我们可以看到有两个存储器，一个是本机存储空间，另外一个是机外存储空间，机外存储空间便是i-flashdrive的存储地点。

4.用户只需要在i-flashdrive程序内，不论在本机存储区还是机外存储区下，点击编辑按钮，然后点击您想要移动的文件，便可以进行文件位置的移动，从而轻松管理机身内部数据与i-flashdrive存储空间之间的文件，完美地实现了互拷*作模式。

5.将苹果u盘i-flashdrive与电脑pc端连接，就可以像平时我们用u盘那样进行*作，将自己想要的文件放入i-flashdrive内，然后在插入iphone中进行拷贝，*作非常简单。

三、西门子PLC的存储分哪些区域

PLC上的存储器与个人电脑上的存储器功能相似，主要用来存储系统程序、用户程序和数据。

根据功能不同可把存储器进行细分，可分为如下几个存储区：

装载存储器区（Load Memory）

工作存储器区（Work Memory）

保存存储器区（Retentive Memory）

系统存储器区（System Memory）

上面四个区域除了装载存储器区是外插SIMATIC存储卡，其他都是CPU内部集成的存储器。

1、装载存储器

在S7-300/400系列PLC中装载存储器也就是外插的MMC卡，这个卡是Flash Memory，断电后卡中的信息不会丢失。对于S7-1500 CPU的装载存储器，只能通过外插存储卡扩展，容量大支持到32G。

装载存储器主要存储项目中的程序块、数据块、工艺对象、硬件配置，就是你用博途编写程序和组态硬件产生的所有数据。

在你**程序的过程中，首先是存储到装载存储器中，然后再**到工作存储器中，程序和数据在工作存储器中运行。

对CPU的任何*作都不会让SIMATIC存储卡的用户程序丢失，也不会损坏程序。所以无论你CPU怎么损坏，用户程序是不会丢失的，但是没有了SIMATIC存储卡，即使你买再多的CPU，依然要重写程序。

装载存储器类似电脑的硬盘。

在S7-300/400 PLC中，装载存储器不存储项目中的符号和注释等信息，但是S7-1500 PLC的装载存储器可以保存变量的符号、注释信息以及PLC的数据类型。

西门子SIMATIC存储卡的知识以后专门介绍，这篇文章你知道所谓装载存储器就是S7-300/400上的MMC卡，S7-1500上这张卡叫做SIMATIC存储卡。

2、工作存储器

工作存储器是集成在CPU内部的RAM存储器，容量根据型号确定，不能扩展。所以在选择CPU时除了要考虑指令的处理速度，还要考虑终程序的大小。如果写完程序发现CPU没法运行，就比较麻烦了。

可分为代码工作存储器和数据工作存储器，分别用来保存与程序运行有关的代码（OB/FC/FB）和数据块（DB）。

工作存储器类似个人电脑中的内存条，断电时数据会丢失，恢复供电时CPU会从装载存储器**数据到工作存储器。

四、nandflash解密方法

NAND技术在设计之初是为了数据存储应用，nand的写回速度比较快，芯片面积小，特别容量大有很大的优势

NAND的地址分为三部分：块号，块内页号，页内字节号；正因为如此，NAND的一次数据访问，要经过3次寻址，先后确定块号，块内页号，页内字节号，至少占用了三个时间周期。因此：NAND FLASH的一个劣势出来了：随机字节读写速度慢。但是nand flash平均每MB成本比nor flash少了三,四倍。所有NAND FLASH的容量可以做的比较大。

Nand flash的数据是以**t的方式保存在memory cell，一个cell里面只能存储一个**t。这些cell以8个或者16个为单元，连成**t line，形成所谓的byte(X8)/word(X16)，这就是NAND Device的位宽。这些line会再组成page，page又分为main area(一般用来做普通数据的存储区)和spare area(一般用于在读写*作的时候存放效验码等额外数据用的)，后再又多个page形成一个block。

NAND flash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：

――Block address――page address――column address

对于NANDFLASH来说，地址，命令和数据都只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度为8**ts或16**ts。

在擦除数据的时候块地址会被用到。

块地址（block address）：如果一个块有32个page，一个page有512个byte。那么一个block有32×512个byte。所以块地址由A[14]以上的位来表示。32Mbytes的有32*1024*1024/32/512= 2048个block。需要占用11个**t，即A[24:14]。

对Nand flash的访问中，地址由列地址和行地址两部分组成。

列地址（column address）：列地址表示在页内以byte(如果是X16，则以word)为单元的页内偏移量；

行地址（页地址）（row address）：指page在整个nand芯片中的索引。

以下列举3个不同大小型号的nand flash进行说明：

SAMSUNG_K9F5608X0D(512Bytes(没有包括16Bytes spare)*32pages*2048blocks=32Mbytes)需要3个地址周期

列地址：A[7:0]第一个地址周期发出，对于X8的nandflash来说，如果要把A[8]也编进列地址里面去，那么整个地址传输需要4个周期完成，所以为了节省一个周期，K9F5608X0D把页内分为A(1 half array)区，B(2 half array)区。A区0－255字节，B区256－511字节。访问某页时必须通过A[8]选定特定的区，A[8]则由*作指令决定的，00h，在A区；01h在B区。所以传输地址时A[8]不需要传输。对于X16的nand flash来说，由于一个page的main area的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1st halfpage和2nd halfpage之分了，所以，**t8就变得没有意义了，也就是这个时候A8完全不用管，地址传递仍然和x8器件相同。除了这一点之外，x16的NAND使用方法和x8的使用方法完全相同。

行地址：A[24:9]由第2，3个地址周期发出；

SAMSUNG_K9F1208(512Bytes(不包括16Bytes spare)*32pages*4096blocks=64MBytes)需要4个地址周期

列地址：A[7:0]第一个地址周期发出，同上；

行地址：A[25:9]由第2，3，4个地址周期发出，A[25]以上的各位必须被设置为L；

SAMSUNG_K9F1G08U0B(2048Bytes(不包括64Bytes spare)*64pages*1024blocks=128MBytes)需要4个地址周期

列地址：A[11:0]第1，2个地址周期发出，如图*L位要置为low；

行地址：A[27:12]由第3，4个地址周期发出；

④页寄存器：由于对nand flash读取和编程*作，一般小单位是page。所以nand在硬件设计时候，对每一片都有一个对应的区域用于存放将要写入到物理存储单元中区的或者刚从存储单元中读取出来的一页的数据，这个数据缓存区就是页缓存，也叫页寄存器。所以实际上写数据只是写到这个页缓存中，只有等你发了对应的编程第二阶段的确认命令0x10之后，实际的编程动作才开始把页缓存一点点的写到物理存储单元中去，这也就是为什么发完0x10之后需要等待一段时间的原因。