一、cs50N20参数

cs50N20参数是FET类型耗尽型，超结低压，平面MOS，漏源电压（Vdss）200V，漏极电流(Id)50A，漏源导通电阻(RDS On)42，栅源电压(Vgs)2，栅极电荷(Qg)150，配置类型N。这个型号是IPS场效应管，N沟道，可以尝试用IRF3710代换。

场效应管的检测方法

首先观察场效应管的外观场效应管的检测方法是否完好，如果存在烧焦或针脚断裂等说明已经发生损坏。对场效应管的引脚进行清洁，然后用小镊子对场效应管进行放电，避免残留电荷对检测产生影响。用熟悉万用表调到二极管档位，用表笔先接短MOS管的3个引脚进行放电处理，如果是N沟道的MOS，红笔接D极，黑色接S极，测量的低阻值应该为无穷大。

二、如何使用b1500a测试mos器件qg

b1500a测试mos器件qg方法如下：

1、mos管道的PN结、b1500a反向电阻值不同的现象，可以确定mos管道的三个电极。

2、将万用表挂在b1500a上，选择两个电极，分别测量正负电阻值。

3、b1500a的黑色表笔可以随机接触一个电极，另一个表笔可以依次接触其他两个电极，以测量电阻值。

4、如果两次测量的电阻值几乎相同，则黑表笔接触的电极为极，另外两个电极分别为漏极和圆极。