一、只能读出不能写入的存储器是

计算机内存中只能读出，不能写入的存储器称为只读存储器。

只读存储器，英语是Read-Only Memory，简称ROM）。ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。

ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。

特点：只读存储器的特点是只能读出不能随意写入信息，在主板上的ROM里面固化了一个基本输入/输出系统，称为BIOS（基本输入输出系统）。其主要作用是完成对系统的加电自检、系统中各功能模块的初始化、系统的基本输入/输出的驱动程序及引导*作系统。

扩展资料：

计算机的存储器可分为ROM、可编程只读存储器、可编程可擦除只读存储器、一次编程只读内存、电子可擦除可编程只读存储器、闪速存储器。

1、ROM

只读内存（Read-Only Memory）是一种只能读取资料的内存。在制造过程中，将资料以一特制光罩（mask）烧录于线路中，其资料内容在写入后就不能更改，所以有时又称为“光罩式只读内存”（mask ROM）。

2、可编程只读存储器

可编程只读存储器（英文：Programmable ROM，简称：PROM）一般可编程一次。PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1，或皆为0。

3、可编程可擦除只读存储器

可编程可擦除只读存储器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，简称：EPROM）可多次编程。这是一种便于用户根据需要来写入，并能把已写入的内容擦去后再改写，即是一种多次改写的ROM。

4、一次编程只读内存

一次编程只读内存（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）的写入原理同EPROM。

5、电子可擦除可编程只读存储器

电子可擦除可编程只读存储器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，简称：EEPROM）的运作原理类似EPROM，但是抹除的方式是使用高电场来完成。

6、闪速存储器

闪速存储器（英文：Flash memory）是英特尔公司90年代中期发明的一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器它既有EEPROM的特点，又有RAM的特点，是一种全新的存储结构。

参考资料来源：百度百科-只读存储器

二、又能读又能写、且存取速度快的村储器是什么

这个叫随机存取存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为*作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。

当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放*作系统、各种应用程序、数据等。

扩展资料

现代ram依靠电容器来存储数据。电容充电子表1（二进制），不充电代表0。由于电容器或多或少地存在泄漏，如果不进行特殊处理，数据将逐渐丢失。刷新是指周期性地读取电容器的状态，然后根据原始状态对电容器进行充电，以弥补失去的电荷。刷新的需要解释了ram的波动性。

dram利用电容电荷存储原理来存储信息。电路简单，集成度高。由于任何一个电容器都有泄漏电流，当电容器充电时，电容器在一段时间内放电会导致电荷的丢失，从而导致存储信息的丢失。

参考资料来源：百度百科-随机存取存储器

三、计算机内存中只能读出,不能写入的存储器称为

只能独处，不能写入的存储器为ROM。

只读存储器（ROM）是一种在正常工作时其存储的数据固定不变，其中的数据只能读出，不能写入，即使断电也能够保留数据，要想在只读存储器中存入或改变数据，必须具备特定的条件。

按存取信息的不同方式，存储器可以分为随机存取存储器（RAM）和非随机存取存储器。只读存储器就属于非随机存取存储器。主要分为掩膜 ROM、PROM、EPROM、EEROM、flash ROM等几类。

扩展资料：

根据编程方式的不同，只读存储器共分为以下5种：

1、掩膜工艺 ROM

这种 ROM是工艺厂家根据客户所要存储的信息，设计专用的掩膜板进行生产的。一旦生产出成品后，ROM中的信息即可被读出使用，但不能改变。这类 ROM一般用于批量生产，成本比较低。

2、可一次性编程 ROM（PROM）

PROM是用熔丝（通常用镍铬合金、多晶硅或钛钨合金制造）制造的，用户可以烧断这些熔丝，以实现存储器存储元件之间的互联，从而写入信息，一旦写入之后，信息就会永久的固定下来，只可读出，不可再改变其内容。

3、紫外线擦除可改写 ROM（EPROM）

EPROM中的内容可由用户写入，也允许用户反复擦除重新写入。EPROM用电信号编程用紫外线擦除，在芯片外壳上方有一个圆形的窗口，通过这个窗口照射紫外线就可以擦除原有信息。由于太阳光中含有紫外线，所以当程序写好后要使用昂贵的带有石英窗口的陶瓷封装，避免阳光射入而破坏程序。而且在擦除过程中不能选择性地擦除存储字单元，如果用户需要改程序，必须擦除整个存储阵列。

4、电擦除可改写 ROM（EEROM）

EEROM是 ROM发展过程中的一个主要进展，它的写*作采用了热载流子隧穿，擦除*作采用了热电子的量子力学隧穿效应。EEPROM有相当多的优点，如单一的 5V电压编程能力、编程之前无需进行擦除*作、字节模式和页模式的写*作、中等的存取时间、低功耗、全军用工作温度范围，以及在严峻的环境条件下的不挥发性。

5、快闪 ROM（flash ROM）

在 20世纪 80年代中期，人们发现把热载流子编程和隧穿擦除结合在一起是一种实现一个单管 EPROM单元的方法，这种新技术被称为快闪存储器（flashROM）。这种技术结合了 EPROM的编程能力和 EEPROM的擦除能力，读写速度都很快。这种芯片的改写次数大能达到 100万次。

参考资料来源：百度百科-ROM

四、可编程只读存储器的简介

分类

1.一次编程只读存储器（ROM）可编程只读存储器只允许写入一次，所以也被称为“一次可编程只读存储器”(One Time Progarmming ROM，OTP-ROM)。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0(部分的PROM在出厂时数据全为0，则用户可以将其中的部分单元写入1)，以实现对其“编程”的目的。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”，如果我们想改写某些单元，则可以给这些单元通以足够大的电流，并维持一定的时间，原先的熔丝即可熔断，这样就达到了改写某些位的效果。另外一类经典的PROM为使用“肖特基二极管”的PROM，出厂时，其中的二极管处于反向截止状态，还是用大电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”，造成其永久性击穿即可。

2.紫外线擦除可编程只读存储器（EPROM）能用紫外线擦除原有信息，可以重新写入新信息。

3.电擦除可编程只读存储器（E2PROM）