一、iphone 6sp和iphone 6p有什么区别

一、外观对比

1、从机身尺寸与机身重量来看，新一代iPhone 6s Plus比上一代iPhone 6 Plus机身与厚度稍微大一点，不过这些差距极小，如果我们把两款手机放置在一起，我们用肉眼是看不出区别。

2、外观上的唯一比较明显的区别在于iPhone 6s Plus新增了玫瑰金配色，如果看到有人手中拿着玫瑰金色iPhone，那么就可以肯定是一款iPhone 6s/6s Plus机型。而其他颜色版，则无法一眼看出来。

二、性能对比

1、从参数对比来看，新一代iPhone 6s Plus在CPU和内存方面都有明显的升级，新一代iPhone 6s Plus配备苹果A9四核处理器，2GB DDR4内存，相比千代产品可以说有翻倍的提升。

2、iPhone 6s Plus性能提升幅度大，根据苹果发布会上的测试，iPhone 6s Plus性能相比上一代iPhone 6 Plus性能提升了至少70%，图形性能更是提升超过100%，性能提升明显。

三、拍照对比

1、在摄像头硬件方面，新一代iPhone 6s Plus在前后摄像头方面都有着明显的升级，并支持光学防抖和视频光学防抖，并支持4K视频录制，在拍照方面，iPhone 6s Plus依旧会是目前智能手机中，综合表现强的一款机型。

2、iPhone 6s Plus拍照提升明显，并支持4K录制，而上一代6 Plus尽管也支持光学防抖，但不支持4K视频录制，也不支持视频光学防抖，另外摄像头规格较低，拍照表现不如新一代。

四、续航对比

1、如今手机大多数是电池容量在加大，续航在提升，不过苹果新一代iPhone 6s Plus却反其道而行之，内置电池容量反而降低了。

2、iPhone6s Plus和iPhone6 Plus续航基本无区别，这主要是由于iPhone 6s Plus采用硬度与厚度更大的7000铝合金材质，内部空间减少了一些，导致电池容量变小，而之所以能够维持续航不变，主要在于选用的新A9处理器和DDR4内存功耗控制更佳，这是技术的魅力。

五、其它区别

1、除了外观、性能、拍照以及续航区别外，还别忘记了iPhone 6s Plus加入了一项全新的3D Touch技术，这也是新一代iPhone 6s Plus相比前代产品唯一加入的一项新技术特性。

2、3D Touch技术相信大家都不会陌生，前面小编为大家介绍过不少相关文章。其作用主要是增强屏幕触控体验。

1、iPhone 6 Plus设计上和iPhone 6一致，做工延续了苹果的高标准。和前几代不同的是，与前几代iPhone有棱有角的设计相比，它从屏幕边缘到边框都是弧形设计，玻璃与边框贴合的十分紧凑，两者衔接的地方过度十分自然，更像是unibody一体式的设计。

2、苹果iPhone 6s Plus在屏幕上的大升级是加入了Force Touch压力感应触控，使触屏手机的*作性进一步扩展。

参考资料来源：百度百科--iPhone 6sPlus百度百科--iPhone 6Plus

二、iphone14pro是8g运存吗

iPhone14全系列都采用6GB内存。

手机系统：ios。

普通版的iPhone14是6GB运存，DDR4X.DDR5对比DDR4X闪存 4600Mbps速率相比，提升高达40%，而主流DDR5芯片速率约为5500Mbps，有接近20%的提升。

上一代的iPhone13是4GB,iPhone13 Pro是6GB内存，因此iPhone14普通版的运存还是有提升，不过对比iPhone14Pro升级的幅度不算特别大。提高内存可以让手机在后台同时运行更多的APP，在打开相机APP的时候也不容易卡顿。

在提升了运行内存之后，iPhone14系列*后台的情况将会明显减少，可支持更多程序常驻后台。此前iPhone13Pro就出现拍摄的情况下，其他程序受影响的问题。在iPhone上占用内存较大的程序需要占用大量计算能力的APP。

苹果iPhone14是印度生产吗？

苹果iPhone14系列手机会有少部分在印度制造生产，不过目前大多数的产能都是在国内，一部分产能是在越南，印度制造的iPhone14预计会在首发后的数个月才开始生产交付，因此如果是购买第一批的消费者不用担心是印度制造。

三、iPhone11运存是4G吗

不一样的。苹果新款iPhone11只有仅仅4GB，而目前很多国内的安卓机运行内存都是非常大的，高甚至有12G运行内存的手机出现。

安卓手机的话，当打开一个新的应用，旧的应用并不会消失，而是一直在后台待着运行，所以也会继续占用运行的内存，所以安卓厂商选择8GB以上的运行内存。

而和安卓手机不同的是，当打开了A应用后，中途去切换B应用，这时候，如果超过10分钟没有使用A应用，系统就会自动关闭A应用，释放更多的内存给B应用，保证运行流畅。

扩展资料：

手机运行内存选取：

1、不能盲目地相信内存总数。根据手机系统定制化的不同，实际可用的运行内存也会有相应的浮动。比如一款机型是4GB内存，但实际上可用内存空间只有2GB左右。

2、市面上的内存有DDR4，DDR4相比之前的DDR3在速度和功耗控制上有大幅增强，所以如果同等RAM容量的手机，一定也要看清楚是DDR4还是DDR3。

3、RAM内存的大小会在一定程度上影响手机速度，但并不是决定性因素，毕竟手机运行速度是由CPU、GPU、RAM、ROM、系统优化共同来决定的。

四、iphone6可以扩展内存吗

苹果公司1980年12月12日公开招股上市，2012年创下6235亿美元的市值记录，截至2014年6月，苹果公司已经连续三年成为全球市值大公司。下面是我带来的关于iphone6可以扩展内存吗的内容，欢迎阅读!

iphone6可以扩展内存吗：

不可以。

iphone6采用的固定式闪存、内存，闪存芯片/内存芯片焊接在主板上，不可以拓展存储空间/内存。

iPhone 6是苹果公司(Apple)在2014年9月9日推出的一款手机，已于2014年9月19日正式上市。

iPhone 6采用4.7英寸屏幕，分辨率为1334*750像素，内置64位构架的苹果A8处理器，性能提升非常明显;同时还搭配全新的M8协处理器，专为健康应用所设计;采用后置800万像素镜头，前置120万像素鞠昀摄影FaceTime HD高清摄像头;并且加入Touch ID支持指纹识别，首次新增NFC功能;也是一款三网通手机，4G LTE连接速度可达150Mbps，支持多达20个LTE频段。

2013年11月4日极特先进宣布与苹果签订多年蓝宝石材料供应合约。即将拥有/经营ASF熔矿炉以及相关设备、在苹果亚利桑那州厂生产蓝宝石材料，极特将自2015年起分五年陆续出货给苹果。

2013年9月12日苹果已找到蓝宝石与玻璃的贴和(sapphire-on-glass)方式，可让组合好的蓝宝石玻璃屏幕厚度少于1毫米。

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RDRA

MIntel在推出：PC-100后，由于技术的发展，PC-100内存的800MB/s带宽已经不能满足需求，而PC-133的带宽提高并不大(1064MB/s)，同样不能满足日后的发展需求。Intel为了达到独占市场的目的，与Rambus公司联合在PC市场推广Rambus DRAM(DirectRambus DRAM)。Rambus DRAM是：Rambus公司早提出的一种内存规格，采用了新一代高速简单内存架构，基于一种RISC(Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机)理论，从而可以减少数据的复杂性，使得整个系统性能得到提高。Rambus使用400MHz的16**t总线，在一个时钟周期内，可以在上升沿和下降沿的同时传输数据，这样它的实际速度就为400MHz×2=800MHz，理论带宽为(16**t×2×400MHz/8)1.6GB/s，相当于PC-100的两倍。另外，Rambus也可以储存9**t字节，额外的一比特是属于保留比特，可能以后会作为：ECC(ErroI·Checking and Correction，错误检查修正)校验位。Rambus的时钟可以高达400MHz，而且仅使用了30条铜线连接内存控制器和RIMM(Rambus In-line MemoryModules，Rambus内嵌式内存模块)，减少铜线的长度和数量就可以降低数据传输中的电磁干扰，从而快速地提高内存的工作频率。不过在高频率下，其发出的热量肯定会增加，因此第一款Rambus内存甚至需要自带散热风扇。

DDR3时代DDR3相比起DDR2有更低的工作电压，从DDR2的1.8V降落到1.5V，性能更好更为省电;DDR2的4**t预读升级为8**t预读。DDR3目前高能够达到2000Mhz的速度，尽管目前为快速的DDR2内存速度已经提升到800Mhz/1066Mhz的速度，但是DDR3内存模组仍会从1066Mhz起跳。

一、DDR3在DDR2基础上采用的新型设计：

1.8**t预取设计，而DDR2为4**t预取，这样DRAM内核的频率只有接口频率的1/8，DDR3-800的核心工作频率只有100MHz。

2.采用点对点的拓朴架构，以减轻地址/命令与控制总线的负担。

3.采用100nm以下的生产工艺，将工作电压从1.8V降至1.5V，增加异步重置(Reset)与ZQ校准功能。部分厂商已经推出1.35V的低压版DDR3内存。

DDR4时代

内存厂商预计在2012年，DDR4时代将开启，起步频率降至1.2V，而频率提升至2133MHz，次年进一步将电压降至1.0V，频率则实现2667MHz。新一代的DDR4内存将会拥有两种规格。根据多位半导体业界相关人员的介绍，DDR4内存将会是Single-endedSignaling(传统SE信号)方式DifferentialSignaling(差分信号技术)方式并存。其中AMD公司的PhilHester先生也对此表示了确认。预计这两个标准将会推出不同的芯片产品，因此在DDR4内存时代我们将会看到两个互不兼容的内存产品。

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