一、内存卡读写速度和写入速度有什么区别

内存卡的读取和写入速度不一致，是因为内存卡本身的物理特性决定的。

在读取时，不需要额外的*作，就可以以块为单位读取，其时间主要消耗在寻址和等待数据稳定方面，所以速度快。

在写入时，可能有两种情况：

一种是只改写一个块的一部分，这时要先把待写入数据所用的数据区整个读出来，再将新旧数据合并，然后再统一将一个块区的数据写入所在的块。而且写入*作会需要更长的时间。

另外一种情况是整个块都要改，这种情况下会直接将新数据写入所在的块，这种情况速度较第一种会快。

因此，*作原理的不同，导致了读写速度的差异。

对于内存卡来说，通常使用Class表示写入速度（读取速度不同的产品差异较小）Class等级是按固定写8KB大小的文件计算的：

Class4即8KB文件写入为4MB每秒，Class10是8KB文件写入为10MB每秒，所以，一般Class几，8K文件的写入速度就是几MB每秒。

总容量一样，但文件数量不同的两批文件，数量少的文件写入速度更快，而数量很多的文件，其写入速度要比数量少的慢很多。

二、内存读写速度要比直接读硬盘的快的多

这个真不一定，有可能是硬盘快。

很多人回答说是内存快，其实那是错误的。贫穷限制了人的想象，知识跟不上发展。

话不多说，上图对比，你看一下。

你可以看得到快15,000多每秒。这是用两块三星980Pro组建的阵列磁盘。昨天才组建完成，刚好有数据。

这个是普通内存的速度。1g=1024兆，你自己看看哪个快！

当然了，这只是比普通内存快而已。

对比现在的顶尖内存还是不足的，你比如说我的内存。

看看我内存数据69,000多每秒，就问你怕不怕。4533的频率。

所以说兄弟别听他们瞎叨叨，硬盘和内存真不一定谁快呀。关键看你想和谁比。田忌赛马的故事知道吧，就这个道理。

三、内存频率和CL延迟哪个重要***解答***

不一定，这个主要看游戏的内存读写方式决定的，如果游戏的数据多依赖处理器的高速缓存就能解决问题了，那么CL延迟的影响会被降到很低，再或者是列的数据会比较常被存取，那么CL延迟的影响也会比较低。

要形象的了解延迟，我们不妨把内存当成一个存储着数据的数组，或者一个EXCEL表格，要确定每个数据的位置，每个数据都是以行和列编排序号来标示，在确定了行、列序号之后该数据就唯一了。

因此从处理器开始从内存索取数据开始到完成读取的总时间应该是延迟的时间+数据读写的时间的综合，而延迟的时间又会被细分，详见下面的解释。

文中虽然尽量避免了使用术语名词频率，但是无法避免不使用属于名词，对于内存时序的术语名词的解释请点击：什么是内存时序

在实际工作时，无论什么类型的内存，在数据被传输之前，传送方必须花费一定时间去等待传输请求的响应，通俗点说就是传输前传输双方必须要进行必要的通信，而这种就会造成传输的一定延迟时间。CL设置一定程度上反映出了该内存在CPU接到读取内存数据的指令后，到正式开始读取数据所需的等待时间。不难看出同频率的内存，CL设置低的更具有速度优势。

CL设置较低的内存具备更高的优势，这可以从总的延迟时间来表现。内存总的延迟时间有一个计算公式，总延迟时间=系统时钟周期×CL模式数+存取时间（tAC）。

首先来了解一下存取时间（tAC）的概念，tAC是Access Time from CLK的缩写，是指大CAS延迟时的大数输入时钟，是以纳秒为单位的，与内存时钟周期是完全不同的概念，虽然都是以纳秒为单位。存取时间（tAC）代表着读取、写入的时间，而时钟频率则代表内存的速度。

如某内存其存取时间为6ns，而其内存时钟周期为6ns，如BIOS可调节CL设置，并设定为2.5，则总的延迟时间＝6ns X2.5＋6ns＝21ns，而如果CL设置为2，那么总的延迟时间＝6ns X2＋6ns＝18 ns，就减少了3ns的时间。

从总的延迟时间来看，CL值的大小起到了很关键的作用。不过，并不是说CL值越低性能就越好，因为其它的因素会影响这个数据。例如，处理器的三级缓存很大，这表示处理器比较少地直接从内存读取数据。再者，列的数据会比较常被存取，所以RAS-to-CAS的发生几率也大，读取的时间也会增多。后，有时会发生同时读取大量数据的情形，在这种情形下，相邻的内存数据会一次被读取出来，CAS延迟时间只会发生一次。

选择购买内存时，好选择同样CL设置的内存，因为不同速度的内存混插在系统内，系统会以较慢的速度来运行，也就是当CL2.5和CL2的内存同时插在主机内，系统会自动让两条内存都工作在CL2.5状态，造成资源浪费。

四、内存时序是什么对性能影响大吗

内存时序是描述同步动态随机存取存储器（SDRAM）性能的四个参数：CL、TRCD、TRP和TRAS，单位为时钟周期。它们通常被写为四个用破折号分隔开的数字，例如7-8-8-24。第四个参数（RAS）经常被省略，而有时还会加入第五个参数：Command rate（命令速率），通常为2T或1T，也写作2N、1N。

这些参数指定了影响随机存取存储器速度的潜伏时间（延迟时间）。较低的数字通常意味着更快的性能。决定系统性能的终元素是实际的延迟时间，通常以纳秒为单位。内存时序对性能影响较大。

扩展资料：

当将内存时序转换为实际的延迟时，重要的是注意它是以时钟周期为单位。如果不知道时钟周期的时间，就不可能了解一组数字是否比另一组数字更快。

举例来说，DDR3-2000内存的时钟频率是1000 MHz，其时钟周期为1 ns。基于这个1 ns的时钟，CL=7给出的绝对延迟为7 ns。而更快的DDR3-2666（时钟1333 MHz，每个周期0.75 ns）则可能用更大的CL=9，但产生的绝对延迟6.75 ns更短。

现代DIMM包括一个串行存在检测（SPD）ROM芯片，其中包含为自动配置推荐的内存时序。PC上的BIOS可能允许用户调整时序以提高性能（存在降低稳定性的风险），或在某些情况下增加稳定性（如使用建议的时序）。

注意：内存带宽是测量内存的吞吐量，并通常受到传输速率而非潜伏时间的限制。通过交错访问SDRAM的多个内部bank，有可能以峰值速率连续传输。可能以增加潜伏时间为代价来增加带宽。具体来说，每个新一代的DDR内存都有着较高的传输速率，但绝对延迟没有显著变化，尤其是市场上的第一批新一代产品，通常有着较上一代更长的延迟。

即便增加了内存延迟，增加内存带宽也可以改善多处理器或多个执行线程的计算机系统的性能。更高的带宽也将提升没有专用显存的集成显卡的性能。

参考资料：百度百科-内存时序