一、主板上的dimm***B2是***什么意思啊

主板上的dimm-B2，说明主板支持双通道，这个插槽是用来扩展m.2硬盘接口的，规格是DDR3内存标准，这个插槽不能插内存条，只能插DIMM.2扩展卡。

DIMM，Dual-Inline-Memory-Modules，即双列直插式存储模块。这是为SDRAM/DDR等各类内存提供的接口插槽，但不同内存其DIMM接口插槽会有所不同，如DDR/DDR2/DDR3之间都不能互插，如果坏了就无法使用扩展内存了。

主板上有dimm-B2接口，就意味着有2个黑的(DIMM_A1，DIMM_A2)和2个蓝的(DIMM_B1，DIMM_B2)四个接口，说明主板能组建双通道。

dimm接口优先插黑色的孔，插在两根相同颜色的孔上是组双通道内存。

适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V(使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外)，适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V(使用EDORAM或FBRAM内存芯片)，二者不能混合使用。

DIMM的数量代表了笔记本在内存方面的可扩展性，一般笔记本出厂会配置1根内存，而预留的插槽给用户来扩展，在用户觉得内存不够用的时候可以自行加装或者联系售后进行安装，这样更加的灵活，满足不同用户需求。

二、内存条看哪些参数

金士顿内存条看参数：容量、内存颗粒数、代数、内存速率、内存标识。

1、容量，数字越大说明临时存储越大，常见的有16GB、8GB、1GB、512MB、256MB等。

2、内存颗粒数表示内存颗粒的数量和焊接面数，格式为aRxb，如2Rx8。1R代表只有单面有内存颗粒，2R代表两面都有内存颗粒；x8代表每面的内存颗粒数。2Rx8代表单面有8个内存颗粒，共有16个。

3、代数，目前为止市场上常见的内存主要为DDR内存，共有五代。表示方式为PC1、PC2、PC3、PC4、PC5。不同代数之间内存是不兼容的，不能混用，在金手指插口处做了防呆处理，不同的代数金手指处防呆口的位置不一致。如后面带有L，则代表低压版本，如PC3L。

4、内存速率，12800= 1600 x 8，内存数据传输速率为1600MHz。

5、内存标识，PC2-12800也称为DDR2-1600。在内存频率后面有时会有字母，如5300F。U代表为UDIMM内存R代表为RDIMM内存P代表为RDIMM的ECC内存。E代表为ECC内存，错误检查和纠正技术，全称为Error Checking and Correcting。

需要主板主持，用于服务器电脑。F、FB代表为Fully Buffered ECC内存，与非F内存不兼容，防呆口位置不一致。用于服务器电脑。S代表SO-DIMM。

三、内存条种类之间的区别

DDR2与DDR的区别以及区别的主要内容有如下几点:

与DDR相比，DDR2主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。

与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4**t的数据，比传统DDR内存可以处理的2**t数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。

然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。

延迟问题：从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。

这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。

封装和发热量：DDR2内存技术大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。

这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。

DDR2采用的新技术：除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。其中OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。

ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自己的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。

Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS*作中，CAS信号（读写/命令）能够**到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

DDR3与DDR2主要区别以及区别的主要内容有如下几点：

突发长度（Burst Length，BL）。由于DDR3的预取为8**t，所以突发传输周期（Burst Length，BL）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4**t Burst Chop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取*作加上一个BL=4的写入*作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断*作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4**t顺序突发）。

寻址时序（Timing）。就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2～5之间，而DDR3则在5～11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0～4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。

DDR3新增的重置（Reset）功能。重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界很早以前就要求增加这一功能，如今终于在DDR3上实现了。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有*作，并切换至少量活动状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所有数据接收与发送器都将关闭，所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到节省电力的目的。

DDR3新增ZQ校准功能。ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（On-Die Calibration Engine，ODCE）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新*作后用256个时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。

参考电压分成两个。在DDR3系统中，对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF将分为两个信号，即为命令与地址信号服务的VREFCA和为数据总线服务的VREFDQ，这将有效地提高系统数据总线的信噪等级。

点对点连接（Point-to-Point，P2P）。这是为了提高系统性能而进行的重要改动，也是DDR3与DDR2的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能有一个插槽，因此，内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（Point-to-two-Point，P22P）的关系（双物理Bank的模组），从而大大地减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。

内存分为DRAM和ROM两种，前者又叫动态随机存储器，它的一个主要特征是断电后数据会丢失，我们平时说的内存就是指这一种；后者又叫只读存储器，我们平时开机首先启动的是存于主板上ROM中的BIOS程序，然后再由它去调用硬盘中的Windows，ROM的一个主要特征是断电后数据不会丢失。

根据内存条上的引脚多少，我们可以把内存条分为30线、72线、168线等几种。30线与72线的内存条又称为单列存储器模块SIMM，(SIMM就是一种两侧金手指都提供相同信号的内存结构，)168线的内存条又称为双列存储器模块DIMM。30线内存条已经没有了；前两年的流行品种是72线的内存条，其容量一般有4兆、8兆、16兆和32兆等几种；市场的主流品种是168线内存条，168线内存条的容量一般有16兆、32兆、64兆、128兆等几种，一般的电脑插一条就OK了，不过，只有基于VX、TX、BX芯片组的主板才支持168线的内存条。