一、动态ram是依靠什么来存储信息的

静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给与补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。另外，内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。 RAM可分为动态（Dynamic RAM）和静态（Static RAM）两大类。所谓动态随机存储器DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件的。由于电容会放电，所以需要定时充电以维持存储内容的正确，例如互隔2ms刷新一次，因此称这为动态存储器。所谓静态随机存储器SRAM是用双极型电路或MOS电路的触发器来作存储元件的，它没有电容放电造成的刷新问题。只要有电源正常供电，触发器就能稳定地存储数据。DRAM的特点是集成密度高，主要用于大容量存储器。SRAM的特点是存取速度快，主要用于调整缓冲存储器。

二、DRAM存储器的中文和含义

DRAM存储器的中文是动态随机存取存储器。

含义：为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。

写*作时，写选择线为"1"，所以Q1导通，要写入的数据通过Q1送到Q2的栅极，并通过栅极电容在一定时间内保持信息。

读*作时，先通过公用的预充电管Q4使读数据线上的分布电容CD充电，当读选择线为高电平有效时,Q3处于可导通的状态。若原来存有"1",则Q2导通，读数据线的分布电容CD通过Q3、Q2放电,此时读得的信息为"0"，正好和原存信息相反。

若原存信息为"0",则Q3尽管具备导通条件，但因为Q2截止，所以，CD上的电压保持不变，因而，读得的信息为"1"。可见，对这样的存储电路，读得的信息和原来存入的信息正好相反,所以要通过读出放大器进行反相再送往数据总线。

在半导体科技极为发达的中国台湾，内存和显存被统称为记忆体（Memory），全名是动态随机存取记忆体（Dynamic Random Access Memory，DRAM）。

基本原理就是利用电容内存储电荷的多寡来代表0和1，这就是一个二进制位元（**t），内存的小单位。

DRAM的结构可谓是简单高效，每一个**t只需要一个晶体管另加一个电容。但是电容不可避免的存在漏电现象，如果电荷不足会导致数据出错，因此电容必须被周期性的刷新（预充电），这也是DRAM的一大特点。

而且电容的充放电需要一个过程，刷新频率不可能无限提升（频障），这就导致DRAM的频率很容易达到上限，即便有先进工艺的支持也收效甚微。随着科技的进步，以及人们对超频的一种意愿，这些频障也在慢慢解决。

三、静态存储器sram和动态存储器dram各用什么来存储二进制信息

SRAM和DRAM都是采用MOS管存储信息的，但SRAM用的管子比较多一些，可以稳定的保持在某个状态（0或者1）,而DRAM用的管子比较少，需要和管子的寄生电容一起来保持状态，时间稍长寄生电容上的电荷会通过因为放电而改变MOS管的状态。因此，需要在寄生电容放掉电荷之前对其每隔一定时间重新充电，这就叫做“刷新”。

四、计算机内存储器分为哪两种,谈谈其主要作用

是随机存取计算机存储器的主要形式。这种存储器通常被称为核心存储器，或者非正式地称为核心存储器。

核心使用微小的磁环（环），核心通过线程来写入和读取信息。

每个核心代表一点信息。磁芯可以以两种不同的方式（顺时针或逆时针）磁化，存储在磁芯中的位为零或一，取决于磁芯的磁化方向。

布线被布置成允许单个芯被设置为1或0，并且通过向所选择的导线发送适当的电流脉冲来改变其磁化。读取内核的过程会导致内核重置为零，从而将其擦除。

这称为破坏性读数。在不进行读写*作时，即使关闭电源，内核也会保持后的值。这使它们成为非易失性的。

2、半导体存储器（semi-conductor memory）：

是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器，内存储器就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。

按其功能可分为：随机存取存储器（简称RAM）和只读存储器（只读ROM）。体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。

早期的计算机常见的存储器是各种磁芯制成的。这种磁芯存储器已被微型集成电路块上的半导体存储器所取代。磁芯存储器是华裔王安于1948年发明的(注)。初的磁芯存储器只有几百个字节的容量。

磁芯的英文名称就是core，磁芯存储器就叫作core memory。虽然磁芯存储器已经被淘汰，但一些人还是出于习惯把内存叫做core。

在铁氧体磁环里穿进一根导线，导线中流过不同方向的电流时，可使磁环按两种不同方向磁化，代表“1”或“0”的信息便以磁场形式储存下来。

Y线重合电流，用于计算机的主存储器，由大量小环形亚铁磁陶瓷铁氧体（磁芯）组成网格结构（组织为“堆叠“称为平面的层”，电线穿过核心中心的孔。

在早期系统中有四条线：X，Y，Sense和Inhi**t，但后来的核心将后两条线组合成一条Sense

Inhi**t线。每个环形线圈存储一位（0或1）。每个平面中的一个位可以在一个周期内被访问，因此一个字数组中的每个机器字被分布在一堆“平面”上。

每个平面将并行*作一个字的一位，允许在一个周期内读取或写入完整的字。

参考资料来源：百度百科-内存储器