sram存储器的数据存在哪 sram存储器是指

seosqwseo3个月前 (06-24)测评日记32

一、静态存储器sram和动态存储器dram各用什么来存储二进制信息

SRAM和DRAM都是采用MOS管存储信息的,但SRAM用的管子比较多一些,可以稳定的保持在某个状态(0或者1),而DRAM用的管子比较少,需要和管子的寄生电容一起来保持状态,时间稍长寄生电容上的电荷会通过因为放电而改变MOS管的状态。因此,需要在寄生电容放掉电荷之前对其每隔一定时间重新充电,这就叫做“刷新”。

二、sram存储器是指

sram存储器是指静态随机存储器。

SRAM是一种随机存储器,只要保持通电,里面的数据就可以一直保存。SRAM的版图具有高度的规律性,同样他的设计规则也是整个制程中严格的。

所谓的“静态”,是指这种存储器只要保持通电,里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下,动态随机存取存储器(DRAM)里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而,当电力供应停止时,SRAM储存的数据还是会消失,这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。

所以SRAM的良率以及SRAM的尺寸大小反映了一个Foundry的制程能力。所以在Foundry中也通过SRAM的良率以及性能的变化来反馈制程的问题所在。

SRAM的基本电路结构以及基本的读写过程:

小的SRAM单元我们称为一个**t,他只能存储一个信号0或者1,这样的一个**t由6个晶体管构成,分为2个PMOS(PU),4个NMOS(PD,PG),这里PU和PD形成一个反相器,两个反相器形成互锁结构,通过这样的特性来实现数据的保存。

PU(pull up)也称为load transistor,他的功能是实现节点的高电位也就是1的状态,PD(pull down)也称为drive transistor,他的功能是实现节点的低电位也就是0的状态。

这样一个**t中的两个节点(SNL和SNR)高低电位互换,就能实现0和1两种状态的存储,PG(pass gate)也称为access transistor,他的功能是实现**tline的接入,以实现读写功能。

以上内容参考:百度百科-SRAM

三、RAM存储的是什么内容

RAM就是内存

内存在主板上插着是个单独的硬件不在你的硬盘上

C盘是你的硬盘的其中一个分区

RAM存储的是当前你运行的程序所需要的代码断电后就会消失

ROM就是你的硬盘里面存储的就是你硬盘上可以看到的哪些文件

ram和ROM相对的,RAM是掉电以后,其中才信息就消失那一种,ROM在掉电以后信息也不会消失那一种

RAM又分两种,

一种是静态RAM,SRAM;一种是动态RAM,DRAM。前者的存储速度要比后者快得多,我们现在使用的内存一般都是动态RAM。

有的菜鸟就说了,为了增加系统的速度,把缓存扩大不就行了吗,扩大的越大,缓存的数据越多,系统不就越快了吗

缓存通常都是静态RAM,速度是非常的快,

但是静态RAM集成度低(存储相同的数据,静态RAM的体积是动态RAM的6倍),

价格高(同容量的静态RAM是动态RAM的四倍),

由此可见,扩大静态RAM作为缓存是一个非常愚蠢的行为,

但是为了提高系统的性能和速度,我们必须要扩大缓存,

这样就有了一个折中的方法,不扩大原来的静态RAM缓存,而是增加一些高速动态RAM做为缓存,

这些高速动态RAM速度要比常规动态RAM快,但比原来的静态RAM缓存慢,

我们把原来的静态ram缓存叫一级缓存,而把后来增加的动态RAM叫二级缓存。

一级缓存和二级缓存中的内容都是内存中访问频率高的数据的**品(映射),它们的存在都是为了减少高速CPU对慢速内存的访问。

通常CPU找数据或指令的顺序是:先到一级缓存中找,找不到再到二级缓存中找,如果还找不到就只有到内存中找了

四、静态存储器sram是依靠什么记忆信息

静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的;动态RAM是靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏,需要定时给与补充,所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低,从而成本也低,适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM,而高速缓冲存储器(Cache)则使用静态RAM。另外,内存还应用于显卡、声卡及CMOS等设备中,用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。 RAM可分为动态(Dynamic RAM)和静态(Static RAM)两大类。所谓动态随机存储器DRAM是用MOS电路和电容来作存储元件的。由于电容会放电,所以需要定时充电以维持存储内容的正确,例如互隔2ms刷新一次,因此称这为动态存储器。所谓静态随机存储器SRAM是用双极型电路或MOS电路的触发器来作存储元件的,它没有电容放电造成的刷新问题。只要有电源正常供电,触发器就能稳定地存储数据。DRAM的特点是集成密度高,主要用于大容量存储器。SRAM的特点是存取速度快,主要用于调整缓冲存储器。

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